特許
J-GLOBAL ID：200903054116449410
単一光子発生デバイス、単一光子検出デバイス及び光量子ゲート
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-063054
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242881
出願日： 2006年03月08日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】単一光子発生デバイス、単一光子検出デバイス及び光量子ゲートにおいて、品質低下を招くことなく、比較的簡易なプロセスで、効率(取出効率,検出効率,結合効率)を向上させる。【解決手段】単一光子発生デバイスを、ベース部1Aと、ベース部1Aの表面側に形成され、先端近傍に局在準位が存在するピラー部1Bとを有する固体基板1を備えるものとし、局在準位から発生した光が、ピラー部1Bの表面で反射し、ピラー部1Bの内部を伝搬して、ベース部1Aの裏面側から出射するように、ピラー部1Bをベース部1A側の断面積が先端側よりも大きくなるように形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ベース部と、前記ベース部の表面側に形成され、先端近傍に局在準位が存在するピラー部とを有する固体基板を備え、
前記ピラー部は、前記局在準位から発生した光が、表面で反射し、内部を伝搬して、前記ベース部の裏面側から出射するように、前記ベース部側の断面積が先端側よりも大きく形成されていることを特徴とする、単一光子発生デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 A
, H01L31/10 Z
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA10
, 5F041CA34
, 5F041CA74
, 5F041CB05
, 5F041CB14
, 5F041CB15
, 5F049MA09
, 5F049MA20
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049QA16
, 5F049SZ11
, 5F049SZ16
