特許
J-GLOBAL ID：200903054118155368
磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-137597
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332537
出願日： 2002年05月13日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】セル選択性を犠牲にすることなく、フリー層の磁化反転が外部磁場変化に追随し、反転後の磁化の指向性が高く、かつ高集積化を図ることが可能な磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供することにある。【解決手段】少なくとも2層の強磁性体層が非磁性中間層を介して積層され、該非磁性中間層を挟む少なくとも一方の強磁性層の磁化方向を変化させることによって情報を記録し、磁気抵抗効果によってその状態を読み出す磁気メモリ素子において、該磁気メモリ素子の形状を、磁化容易軸ならびに磁化困難軸に関し対称であって、少なくとも形状の一部に、磁化容易軸方向の中心線を基線とするサイクロイドないしはサイクロイド状の曲線を含んだものとする。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層の強磁性体層が非磁性中間層を介して積層され、該非磁性中間層を挟む少なくとも一方の強磁性層の磁化方向を変化させることによって情報を記録し、磁気抵抗効果によってその状態を読み出す磁気メモリ素子において、少なくとも該磁気メモリ素子の平面形状の一部に、サイクロイドないしはサイクロイド状の曲線を含むことを特徴とする磁気メモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, G11C 11/15 110
, H01L 43/08
G11C 11/15 110
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA11
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083PR04
, 5F083PR40
