整合された磁気ベクトルを有するMRAM

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本城雅則 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-533157
公開番号（公開出願番号）：特表2001-510613
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 2001年07月31日
要約：

【要約】磁気ベクトルがセルの長さに沿って整合される状態で、多層磁気記憶セルが提供される。磁気端部ベクトルを整合させるため、楕円形状が、記憶セルの両端部に形成される。長さに沿って整合される磁気ベクトルは、不連続部分または層の両端部において、高い磁界および磁極が形成されるのを阻止する。楕円形状を有する記憶セルは、磁界がセルに加えられるときに、磁気セルの磁気抵抗が一定を示し、記憶セルの電力消費量を低減する。

請求項（抜粋）：

磁気記憶セル内において、ある幅を有する磁気材料層であって、前記層の前記幅よりも長い長さを有する磁気材料層であって、前記磁気記憶セルは: 不連続部分において、高い磁界と磁極の形成を阻止する滑らかな曲線を描く両端部;および、前記層の前記幅は、前記磁気材料層内の磁壁の幅より小さく、前記磁気ベクトルは前記幅に沿った方向を指すことができない前記幅; によって構成され、前記層内の磁気ベクトルが、前記磁気材料層の前記長さに沿った方向を指すことを特徴とする記憶セル。

IPC (3件)：

G11C 11/15 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-149285
磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-214123 出願人：三菱電機株式会社
磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-022669 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

全件表示

前のページに戻る