特許
J-GLOBAL ID：200903054127668491

酸化膜エッチング方法

発明者：
中島 暁彦

中島 暁彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-362602
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163205
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 C4F8、CO、Ar、O2を含むガスを用いた酸化膜エッチングにおいて、ガス材料を変えることなく容易にボーイングを抑制する。【解決手段】 エッチング装置を用いてシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成する酸化膜エッチング方法であって、酸化膜エッチング時にエッチング装置内に混合して流すガスに、C4F8ガス、一酸化炭素COガス、酸素O2ガスおよびアルゴンArガスを含み、コンタクトホールの径が縮小するにともなって一酸化炭素COガスの体積流量比を下げ、アルゴンArガスの体積流量比を上げる。これにより、コンタクトホールの開口径Aに対する最大径Bの割合(ボーイング形状パラメータB/A)が低下し、コンタクト不良率が改善される。
請求項（抜粋）：
エッチング装置を用いてシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成する酸化膜エッチング方法であって、上記酸化膜エッチング時に上記エッチング装置内に混合して流すガスに、C4F8ガス、一酸化炭素COガス、酸素O2ガスおよびアルゴンArガスを含み、上記コンタクトホールの径が縮小するにともなって上記一酸化炭素COガスの体積流量比を下げ、上記アルゴンArガスの体積流量比を上げる酸化膜エッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 21/302 M ,  H01L 21/90 A
Fターム (22件)：
5F004AA12 ,  5F004BA08 ,  5F004BA14 ,  5F004BB13 ,  5F004BC02 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01 ,  5F033JJ19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033WW01 ,  5F033WW06 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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