特許
J-GLOBAL ID：200903054129930819

低誘電率の炭素含有酸化ケイ素の作製方法

発明者：
ホン ヤン

ホン ヤン について

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デビッド, ラッセル エバンス

デビッド, ラッセル エバンス について

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シェン, テン スー

シェン, テン スー について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140689
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016062
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 メチルシランベースの前駆体を使用せずにSiOCを形成する方法を得て、さらに容易に入手可能な前駆体材料および装置を使用して、SiOCを形成する方法を得ること。【解決手段】 集積回路の相互接続構造において使用するために、炭素含有酸化ケイ素を基板上に形成する方法であって、以下の工程:a)プラズマ増強化学蒸着(PECVD)チャンバー内に基板を配置する工程;b)ケイ素の供給源、酸素の供給源、および炭素の供給源を、蒸着チャンバーに導入する工程;ならびにc)ケイ素含有フリーラジカル、酸素含有フリーラジカル、および炭素含有フリーラジカルのプラズマを形成するに十分なエネルギーを適用する工程であって、これによって、ケイ素、酸素、および炭素が、炭素含有酸化ケイ素(SiOC)フィルムを形成するために利用可能である、工程;を包含する、方法。
請求項（抜粋）：
集積回路の相互接続構造において使用するために、炭素含有酸化ケイ素を基板上に形成する方法であって、以下の工程:a)プラズマ増強化学蒸着(PECVD)チャンバー内に該基板を配置する工程;b)ケイ素の供給源、酸素の供給源、および炭素の供給源を、該蒸着チャンバーに導入する工程;ならびにc)ケイ素含有フリーラジカル、酸素含有フリーラジカル、および炭素含有フリーラジカルのプラズマを形成するに十分なエネルギーを適用する工程であって、これによって、ケイ素、酸素、および炭素が、炭素含有酸化ケイ素(SiOC)フィルムを形成するために利用可能である、工程;を包含する、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C01B 33/00 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
H01L 21/316 X ,  C01B 33/00 ,  C23C 16/42
Fターム (29件)：
4G072AA50 ,  4G072BB09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH04 ,  4G072JJ47 ,  4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BG03 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (2件)

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