特許
J-GLOBAL ID:200903054147910000

ホウ素ドープ2層カーボンナノチューブおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-100864
公開番号(公開出願番号):特開2006-282408
出願日: 2005年03月31日
公開日(公表日): 2006年10月19日
要約:
【課題】 2層カーボンナノチューブ(DWNT)のサイズコントロールを行えるホウ素ドープ2層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 2層カーボンナノチューブとホウ素元素を混合し、該混合物を不活性ガス雰囲気の加熱炉中で熱処理を行い、2層カーボンナノチューブの六員環炭素原子をホウ素原子に置換するとともに隣接する2層カーボンナノチューブを融合させて径大な2層チューブ構造に形成する。【選択図】 図11
請求項(抜粋):
2層カーボンナノチューブにおいて、六員環炭素原子へのホウ素原子置換がなされることによって、隣接する2層カーボンナノチューブが融合されて径大な2層のチューブ構造をなすことを特徴とするホウ素ドープ2層カーボンナノチューブ。
IPC (3件):
C01B 31/02 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00
FI (3件):
C01B31/02 101F ,  B82B1/00 ,  B82B3/00
Fターム (9件):
4G146AA11 ,  4G146AA17 ,  4G146AB08 ,  4G146AD40 ,  4G146BA04 ,  4G146BC02 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34A ,  4G146DA03
引用特許:
審査官引用 (4件)
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