特許

J-GLOBAL ID：200903054183707718

発光素子の製造方法及び発光素子

発明者： 石崎 順也
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-232608
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046128
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 MgaZn1-aO型酸化物からなる高品質の発光層部が実現可能な発光素子の製造方法と、それにより製造可能な発光素子とを提供する。【解決手段】 発光層部がMgaZn1-aO(ただし、0≦a≦1)型酸化物からなる発光素子1の製造方法において、発光層部との接触側が少なくともMgaZn1-aO型酸化物層とされたバッファ層11を基板10上に成長し、該バッファ層10上に発光層部を成長させる。また、MgaZn1-aO型酸化物は、c軸方向に交互に積層される金属原子層と酸素原子層とからなるウルツ鉱型結晶構造を有するものであり、バッファ層11を、ウルツ鉱型結晶構造のc軸を層厚方向に配向させたものとして成長するとともに、該バッファ層11を成長する際に、原子層エピタキシ法を用いて基板上に金属原子層を金属単原子層として形成した後、残余の酸素原子層と金属原子層とを成長させる。

請求項（抜粋）：

発光層部がMgaZn1-aO(ただし、0≦a≦1)型酸化物からなる発光素子の製造方法において、前記発光層部との接触側が少なくともMgaZn1-aO型酸化物層とされたバッファ層を基板上に成長し、該バッファ層上に前記発光層部を成長させるようにし、前記MgaZn1-aO型酸化物は、c軸方向に交互に積層される金属原子層と酸素原子層とからなるウルツ鉱型結晶構造を有するものであり、前記バッファ層を、前記ウルツ鉱型結晶構造のc軸を層厚方向に配向させたものとして成長するとともに、該バッファ層を成長する際に、原子層エピタキシ法を用いて前記基板上に前記金属原子層を金属単原子層として形成した後、残余の酸素原子層と金属原子層とを成長させることを特徴とする発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/205

Fターム (30件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB22 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE30 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045CA11 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-068978   出願人：科学技術振興事業団
• 化合物半導体単結晶薄膜の成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-322680   出願人：新技術事業団, 西澤潤一, 沖電気工業株式会社, 鈴木壮兵衛