特許
J-GLOBAL ID：200903054198636760
レジストパターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法、マイクロデバイス及びその製造方法、並びに架橋性樹脂組成物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 青木 博昭
, 三上 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-111323
公開番号（公開出願番号）：特開2006-292896
出願日： 2005年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 十分に微細化された薄膜パターンの形成が可能なレジストパターンが得ることが可能なレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】 加熱又は露光により酸を発生する酸発生材料を含んでおりパターン化されたレジスト層4を基板1の一面上に形成する工程と、レジスト層4に架橋性樹脂組成物5を付着させる工程と、架橋性樹脂組成物5のうちレジスト層4表面近傍の部分を加熱又は露光により架橋して、レジスト層4を被覆する架橋層6を形成する工程と、架橋性樹脂組成物5のうち架橋層6以外の部分を除去して、レジスト層4及びこれを被覆する架橋層6からなるレジストパターン10を得る工程と、を備え、架橋性樹脂組成物が、酸の存在下で架橋する水溶性の架橋性樹脂と、無機粒子及び非水溶性樹脂のうち少なくとも一方と、架橋性樹脂を溶解する溶剤と、を含有する、レジストパターンの形成方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
加熱又は露光により酸を発生する酸発生材料を含んでおりパターン化されたレジスト層を基板の一面上に形成する工程と、
前記レジスト層に架橋性樹脂組成物を付着させる工程と、
前記架橋性樹脂組成物のうち前記レジスト層表面近傍の部分を加熱又は露光により架橋して、前記レジスト層を被覆する架橋層を形成する工程と、
前記架橋性樹脂組成物のうち前記架橋層以外の部分を除去して、前記レジスト層及びこれを被覆する前記架橋層からなるレジストパターンを得る工程と、
を備え、
前記架橋性樹脂組成物が、
酸の存在下で架橋する水溶性の架橋性樹脂と、
無機粒子及び非水溶性樹脂のうち少なくとも一方と、
前記架橋性樹脂を溶解する溶剤と、
を含有する、レジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 575
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 5F046AA02
, 5F046AA09
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046LA18
, 5F046NA08
, 5F046PA05
