特許
J-GLOBAL ID：200903020318729057
フォトレジスト膜及びパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-258259
公開番号（公開出願番号）：特開平11-095418
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 ArFエキシマレーザを用いて、パターン形成でき、且つ、ドライエッチング耐性の優れたフォトレジスト膜は未だ開発されておらず、その開発が切望されている。【解決手段】 少なくともベンゼン環を成分要素として含む化学増幅型レジストの下層レジスト膜2と、少なくともArFエキシマレーザに対して感光することにより酸を発生するレジストの上層レジスト膜3とから成る2層構造のフォトレジスト膜を用いる。
請求項（抜粋）：
少なくともベンゼン環を成分要素として含む、化学増幅型の下層レジスト膜と、少なくともArFエキシマレーザに対し感光し、酸を発生する上層レジスト膜とからなることを特徴とするフォトレジスト膜。
IPC (3件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
G03F 7/004 503 A
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
