特許
J-GLOBAL ID:200903054211597613
極値紫外線リソグラフィー(EUVL)の多層構造
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-586358
公開番号(公開出願番号):特表2004-532413
出願日: 2002年04月23日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
軟X線及び極値紫外線領域で使用される、Mo/Si(モリブデン/シリコン)多層フィルムの反射率及び熱安定性は、MoとSiの交互の層間における炭化ホウ素(例えば、B4C)の薄い層の沈着によって増強される。これは、軟X線及び極値光紫外線における反射性コーティング、マスクにおける多層、他の波長におけるコーティング及び純粋なMo/Si多層よりも熱的に安定なマスクにおける多層において有用である。
請求項(抜粋):
吸収層とスペーサー層の交互の層と、及び
前記吸収層の各々と前記スペーサー層の各々との間に位置する界面層とを有し、
前記界面層は、前記吸収層と前記スペーサー層との間の界面反応を制御する物質を含むことを特徴とする、極値紫外線リソグラフィーの多層構造。
IPC (3件):
G21K1/06
, G03F7/20
, H01L21/027
FI (5件):
G21K1/06 B
, G21K1/06 C
, G21K1/06 D
, G03F7/20 521
, H01L21/30 531E
Fターム (2件):
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
多層膜X線反射鏡
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-033249
出願人:日本電信電話株式会社
-
特開平2-242201
-
極端紫外光学素子用のキャッピング層
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-195020
出願人:エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ
前のページに戻る