特許

J-GLOBAL ID：200903054240426569

シリコン結晶シート製造方法および製造装置

発明者： 上山 嗣之 ,  富田 孝司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311457
公開番号（公開出願番号）：特開2004-143006
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】シリコンの無駄を省いて歩留まりを向上させることができ、簡略化かつ縮小化され、装置に使用する材質の制限などもなく、大量生産が可能な、シリコン結晶シートの製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】本発明は、基板の最大面が互いに対向するように、平行に配設された複数の基板を備えた基体を、搬送機構により、るつぼの上方に搬送する工程と、前記基体をるつぼ中のシリコン融液に浸漬させる工程と、該基体を引き上げる工程と、を包含するシリコン結晶シート製造方法であって、前記基体を前記融液から引き上げる工程においては、前記基板の最大面と該融液の上面とを略垂直に維持しつつ行なってもよいし、前記基板の最大面と該融液の上面とを実質的に平行に維持しつつ行なってもよい、シリコン結晶シート製造方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の最大面が互いに対向するように、平行に配設された複数の基板を備えた基体を、搬送機構により、るつぼの上方に搬送する工程と、前記基体をるつぼ中のシリコン融液に浸漬させる工程と、該基体を引き上げる工程と、を包含することを特徴とする、シリコン結晶シート製造方法。

IPC (3件)：

C30B29/06 ,  C01B33/02 ,  H01L31/04

FI (3件)：

C30B29/06 503 ,  C01B33/02 E ,  H01L31/04 X

Fターム (27件)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072FF06 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072MM21 ,  4G072NN21 ,  4G072RR12 ,  4G072UU01 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CD10 ,  4G077CF03 ,  4G077EG13 ,  4G077EG14 ,  4G077MB14 ,  4G077MB21 ,  4G077PB16 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB04 ,  5F051CB11 ,  5F051CB30 ,  5F051GA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液相成長装置および液相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-095997   出願人：キヤノン株式会社
• 液相成長方法および液相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-402289   出願人：キヤノン株式会社