特許
J-GLOBAL ID：200903054251451832
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186411
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156360
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】本発明は、表面に凹凸のある酸化絶縁膜を研磨する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、凹部内に絶縁膜を埋め込む際のスループットを向上するとともに、その研磨面の平坦性を向上すること。【解決手段】半導体基板21上に開口部を有する研磨ストップ膜26を形成し、開口部を通して半導体基板21をエッチングして溝23a〜23dを形成し、溝23a〜23dの中と半導体基板21の上に絶縁膜27を形成する工程と、第1の研磨スラリーを絶縁膜27の研磨面に供給するとともに第1の硬さの研磨表面を有する第1の研磨布102を用いて酸化絶縁膜を研磨し、続いて、第2の研磨スラリーを絶縁膜27の研磨面に供給するとともに第1の硬さよりも軟いの第2の硬さを有する第2の研磨布101を用いて研磨ストブ膜26が露出するまで酸化絶縁膜27の研磨面を研磨する工程を含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面の上に絶縁膜を形成する工程と、第1の硬さを有する第1の研磨布を用いて前記絶縁膜の一部を研磨する工程と、前記第1の研磨布による前記絶縁膜の研磨の後に、前記第1の硬さよりも軟い第2の硬さを有する第2の研磨布を用いて、前記絶縁膜を研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, H01L 21/76
H01L 21/304 622 F
, H01L 21/304 622 S
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/76 L
5F032AA34
, 5F032AA44
, 5F032AA77
, 5F032AA79
, 5F032DA33
