特許
J-GLOBAL ID:200903054259251948
複合半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-279282
公開番号(公開出願番号):特開2002-093979
出願日: 2000年09月14日
公開日(公表日): 2002年03月29日
要約:
【要約】【課題】部品点数、組立工数を削減し、製造原価を低減した複合半導体装置を提供すること。【解決手段】外部導出端子14の上端部にバーリング加工による膨出部15を形成し、この膨出部15に雌ねじ部16を形成する。上記のような外部導出端子14を用いることにより絶縁ケース6の上面肉厚部7へのナット収納孔8の形成及び別部品としてのナット9を不用とし、部品点数、組立工数が削減され、製造原価の低減を図ることができる。
請求項(抜粋):
所定の導体パターンを形成した基板上に半導体チップ等の電子部品が搭載・固着され、該導体パターン上から外部導出端子が引き出されると共に、前記基板の外周には絶縁ケースの下端開口部が嵌合して形成される複合半導体装置において、上記外部導出端子として、その一端に雌ねじ部を有する膨出部を形成した外部導出端子を使用したことを特徴とする複合半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/48
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (2件):
H01L 23/48 R
, H01L 25/04 C
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-208633
出願人:富士電機株式会社
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電力用半導体モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-179718
出願人:株式会社三社電機製作所
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特開昭62-293656
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