特許
J-GLOBAL ID：200903054297610935

電力用半導体装置

発明者：
藤田 晃

藤田 晃 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-202154
公開番号（公開出願番号）：特開2003-018863
出願日： 2001年07月03日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 同一形状の電力用半導体装置を2台接続して使用した場合でも、P・N電極間のサージ発生を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】 電力用スイッチング半導体素子を複数個内蔵し、外部直流電源に接続されるP電極(1)およびN電極(2)と、三相交流のU相、V相、W相用出力端子(3,4,5)とを外部に露出させたパワーモジュールにおいて、上記P電極とN電極のいずれか一方の電極を2個設け、他方の電極の両側に等ピッチで挟むように配設したパワーモジュールを2台用意し、P電極同士(1,1)およびN電極同士(2,2)をバスバーで接続した。
請求項（抜粋）：
6素子インバータ結線を内蔵する電力用半導体装置において、半導体装置の直流入力端子となるP電極またはN電極の一方の電極の外部露出箇所を2箇所に構成したことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (4件)：
H02M 7/48 ,  H01L 23/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (3件)：
H02M 7/48 Z ,  H01L 23/48 P ,  H01L 25/04 C
Fターム (5件)：
5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007FA01 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM