特許
J-GLOBAL ID：200903008662508663
プラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177071
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026433
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ中の解離反応を抑制した高精度プラズマ処理を実現する。【解決手段】 プラズマ生成室1に、高密度プラズマ源、たとえばマルチスパイラルコイル3を用いた誘導結合型プラズマ源を設け、パルス発生器11により電源5をオン/オフ変調して高周波電力を供給する。変調周期を20〜200μ秒、オン時間/変調周期を0.3〜0.7の範囲で制御することで高精度な、あるいはオン時間/変調周期を時間的に変化させることで高速かつ高精度なエッチング処理方法を行うことが可能となる。
請求項（抜粋）：
真空室に供給された反応ガスを、前記真空室に供給される高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマで前記真空室内の試料を加工するプラズマ処理方法であって、前記高周波電力をオンオフ変調し、前記高周波電力のオンオフ変調周期に対するオン時間の割合を0.1〜0.8の範囲とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 A
, H05H 1/46 M
