特許

J-GLOBAL ID：200903054338489933

半導体基板用の剥離用組成物

発明者： ウォイトツァーク,ウイリアム,エー. ,  グアン,ジョージ ,  ヌグイエン,ロン
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-550002
公開番号（公開出願番号）：特表2002-516476
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】本発明は、ハロゲンベースのプラズマ金属エッチングの後に酸素プラズマアッシングを行うことにより生じるウエハ残留物を剥離するための調合物を含む。前記調合物は、次の一般成分(重量%)を含有する。ホウ酸2〜17%、有機アミンまたはアミンの混合物35〜70%、水20〜45%、グリコール溶剤(任意)0〜5%、キレート剤(任意)0〜17%。好ましいアミンは、モノエタノールアミン(MEA)、トリエタノールアミン(TEA)である。

請求項（抜粋）：

プラズマアッシング後の半導体加工に使用するための半導体ウエハ洗浄用調合物であって、 以下の成分: ホウ酸 2〜17重量% 少なくとも1つのアミン 35〜70重量% 水 20〜45重量%を含むの半導体ウエハ洗浄用調合物。

IPC (2件)：

H01L 21/304 647 ,  G03F 7/42

FI (2件)：

H01L 21/304 647 A ,  G03F 7/42

Fターム (5件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  2H096LA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 表面処理組成物及び表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-056087   出願人：三菱化学株式会社
• 基体の表面処理方法及びそれに用いる有機錯化剤含有アンモニア水溶液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-167183   出願人：三菱化学株式会社

審査官引用 (2件)

• 表面処理組成物及び表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-056087   出願人：三菱化学株式会社
• 基体の表面処理方法及びそれに用いる有機錯化剤含有アンモニア水溶液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-167183   出願人：三菱化学株式会社