特許
J-GLOBAL ID:200903054354597061

放熱板付き半導体装置、及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-277830
公開番号(公開出願番号):特開2009-105327
出願日: 2007年10月25日
公開日(公表日): 2009年05月14日
要約:
【課題】回路基板へ実装した際の熱応力に対する耐久性に優れ、且つ放熱性に優れた放熱板付き半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】金属箔をエッチングして形成される第1放熱板11、及び複数の端子12a〜12dと、第1放熱板11の一方の平面部にはんだ付けされた半導体素子13と、第1放熱板11の一方の平面部、複数の端子12a〜12dの一方の端部、及び半導体素子13を封止する封止樹脂14と、を備える放熱板付き半導体装置10であって、端子12a〜12dの他方の端部に固着されたはんだバンプ16a〜16dと、第1放熱板11の他方の平面部にはんだ付けされた第2放熱板21と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
金属箔をエッチングして形成される第1放熱板、及び複数の端子と、前記第1放熱板の一方の平面部にはんだ付けされた半導体素子と、前記第1放熱板の一方の平面部、複数の前記端子の一方の端部、及び前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備える放熱板付き半導体装置であって、 前記端子の他方の端部に形成されたはんだバンプと、 前記第1放熱板の他方の平面部にはんだ付けされた第2放熱板と、 を備える放熱板付き半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/34 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L23/34 B ,  H01L23/12 501W
Fターム (3件):
5F136BA30 ,  5F136BB18 ,  5F136DA04
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特許第3907002号公報
審査官引用 (5件)
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