特許

J-GLOBAL ID：200903054368939291

炭化珪素の超高密度焼結体とその製造方法

発明者： 大柳 満之 ,  山本 武志 ,  津留崎 親 ,  金内 厚喜 ,  白井 健士郎
出願人/特許権者： 学校法人 龍谷大学 ,  株式会社ビッツ
代理人 (3件)： 楠本 高義 ,  増田 建 ,  中越 貴宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-049452
公開番号（公開出願番号）：特開2006-232614
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】 高密度高性能のSiC焼結体を提供しようとする。 【解決手段】 積層無秩序構造を持つ平均粒径が0よりも大きく100nm以下のSiC粒子と不可避不純物とから成る被焼結粉末を焼結して成り、相対密度99.40〜99.99%、平均径10〜500nmで断面数密度が1〜70個/μm2の残留ポアを有し、α-SiC構造、β-SiC構造、α-SiCとβ-SiCとの混在構造から選択される構造を有する焼結体である。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

積層無秩序構造を持つ平均粒径が0よりも大きく100nm以下のSiC粒子と不可避不純物とから成る被焼結粉末を焼結して成り、 相対密度99.40〜99.99%、平均径10〜500nmで断面数密度が1〜70個/μm2の残留ポアを有し、α-SiC構造、β-SiC構造、α-SiCとβ-SiCとの混在構造から選択される構造を有する焼結体。

IPC (5件)：

C04B 35/626 ,  C03B 11/00 ,  C04B 35/565 ,  C04B 35/64 ,  C04B 35/645

FI (5件)：

C04B35/56 101P ,  C03B11/00 N ,  C04B35/56 101S ,  C04B35/64 E ,  C04B35/64 N

Fターム (17件)：

4G001BA22 ,  4G001BB22 ,  4G001BC01 ,  4G001BC13 ,  4G001BC41 ,  4G001BC42 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC55 ,  4G001BC73 ,  4G001BD12 ,  4G001BD13 ,  4G001BD18 ,  4G001BE01 ,  4G001BE22 ,  4G001BE31 ,  4G001BE35

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ナノSiC焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-194890   出願人：住友石炭鉱業株式会社, 大柳満之, 株式会社ビッツ

審査官引用 (2件)

• 高純度炭化けい素焼結体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-202817   出願人：大森守
• ナノSiC焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-194890   出願人：住友石炭鉱業株式会社, 大柳満之, 株式会社ビッツ