特許
J-GLOBAL ID:200903085974261309
高純度炭化けい素焼結体およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小川 順三
, 中村 盛夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-202817
公開番号(公開出願番号):特開2004-043241
出願日: 2002年07月11日
公開日(公表日): 2004年02月12日
要約:
【課題】SiC焼結体の製造に際し、不純物の原因となっている焼結助剤を添加することなく、耐食性、耐酸化性および耐熱性に優れると共に、緻密で高強度な特性を有する高強度SiC焼結体を製造する技術を提案すること。【解決手段】不純物の含有量が1wt%以下であり、かつ相対密度が96%以上であることを特徴とする高純度炭化けい素焼結体および、その製造方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
不純物の含有量が1wt%以下であり、かつ相対密度が96%以上であることを特徴とする高純度炭化けい素焼結体。
IPC (1件):
FI (2件):
C04B35/56 101S
, C04B35/64 E
Fターム (11件):
4G001BA22
, 4G001BB22
, 4G001BC11
, 4G001BC13
, 4G001BC41
, 4G001BC52
, 4G001BC54
, 4G001BC55
, 4G001BD13
, 4G001BD37
, 4G001BE01
引用特許: