特許

J-GLOBAL ID：200903054373959632

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 中村 亜希子 ,  筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358961
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200115
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 大きなACストレスに耐え、高性能で、高信頼性を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】透光性ガラス基板10上に下地絶縁膜11およびXeClエキシマレーザーを用いて結晶化した半導体層12を形成する。半導体層12上にゲート絶縁膜13、ゲート電極15を形成する。ゲート電極15をマスクとして半導体層12に不純物をイオン注入する。ゲート電極15上に層間絶縁膜16、ソース電極18、ドレイン電極19、パッシベイション膜20を形成した後、重水素ガスを含むプラズマ雰囲気下で重水素化処理を行い、半導体層12の結晶粒界や、ゲート絶縁膜13との界面にあるシリコンの未結合手(界面準位)に重水素を結合させて、ACストレスによって切断されにくいSi-D結合14を形成する。

請求項（抜粋）：

非単結晶シリコンを含む半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、上記非単結晶シリコン中における少なくとも一部のシリコンの未結合手に重水素が結合されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 617 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-170927   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 非単結晶シリコン半導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-119844   出願人：キヤノン株式会社