特許

J-GLOBAL ID：200903054404768679

薄膜気相成長方法及び該方法に用いられる薄膜気相成長装置

発明者： 鳥觜 修治 ,  大橋 忠 ,  岩田 勝行 ,  本多 恭章 ,  荒井 秀樹 ,  鈴木 邦彦
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-173013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351864
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 膜の全面にわたって膜厚が均一で且つ抵抗率等の電気特性の均一な薄膜を形成することのできる改良された薄膜気相成長方法及びその方法の実施に好適な薄膜気相成長装置を提供する。【解決手段】 成膜反応ガスを、薄膜気相成長装置の円筒状反応炉の頂部に設けられた複数のガス供給口1、2から整流板3を介して流下させ、下方に配設された回転式サセプタ4に載置したウエハ基板Aに前記成膜反応ガスを接触させて、基板面上に薄膜を気相成長させる方法において、前記反応炉Bの頂部内壁と整流板3とによって形成される空間が、前記ウエハ基板Aの中心を略中心点とした同心円状に、複数の空間に区画され、前記各区画に対応してガス供給口1、2が配設され、前記区画のいずれかに供給される成膜反応ガスの流量、濃度(8、9)のうち少なくとも一方を、調節変化させて供給することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

成膜反応ガスを、薄膜気相成長装置の円筒状反応炉の頂部に設けられた複数のガス供給口から整流板を介して流下させ、下方に配設された回転式サセプタに載置したウエハ基板に前記成膜反応ガスを接触させて、基板面上に薄膜を気相成長させる方法において、前記反応炉の頂部内壁と整流板とによって形成される空間が、前記ウエハ基板の中心を略中心点とした同心円状に、複数の空間に区画され、前記各区画に対応してガス供給口が配設され、前記区画のいずれかに供給される成膜反応ガスの流量、濃度のうち少なくとも一方を、調節変化させて供給することを特徴とする薄膜気相成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504 C

Fターム (26件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB01 ,  4G077DB11 ,  4G077EC10 ,  4G077ED06 ,  4G077EG24 ,  4G077TG06 ,  4G077TH06 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE15 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EF13 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-182752   出願人：日本電気株式会社
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-255486   出願人：信越半導体株式会社