特許

J-GLOBAL ID：200903054426982208

半導体装置及びその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  角田 朗 ,  磯部 敦生 ,  宮入 秀和
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-066020
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264293
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 高速動作が可能で電流駆動能力の高く、且つ複数の素子間においてばらつきの小さい半導体素子の作製方法を提供する。【解決手段】 絶縁表面上に直線状のストライプパターンで延在する複数の絶縁膜を形成し、該複数の絶縁膜を覆う非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜に連続発振の線状レーザー光を照射して溶融すると共に再結晶化させて平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜のうち前記複数の絶縁膜で構成された凹部に設けられた結晶性半導体領域をチャネル形成領域とする半導体素子の作製方法であって、前記複数の絶縁膜で構成された凹部における底面及び側面のなす角(θ)を145±5°とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に、実質的に結晶粒界を有することなく複数の結晶面を有すると共に優勢結晶面を{110}面とするチャネル形成領域を有し、該チャネル形成領域に接するゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜を挟んで前記チャネル形成領域に重なるゲート電極を有する半導体素子を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (96件)：

5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BA01 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB02 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA13 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD30 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL11 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-134006   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜状半導体装置の作製方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191934   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067983   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-135737   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-152316   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-202985   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体膜及び半導体装置並びに半導体膜及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-233955   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所