特許

J-GLOBAL ID：200903001682126754

半導体膜及び半導体装置並びに半導体膜及び半導体装置の作製方法

発明者： 浅見 勇臣 ,  一條 充弘 ,  鳥海 聡志 ,  大槻 高志 ,  三津木 亨 ,  笠原 健司 ,  高野 圭恵 ,  小久保 千穂 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233955
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050575
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 非晶質半導体膜を加熱処理とレーザー光または紫外線、赤外線などの強光の照射により結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向率を高め、そのような結晶質半導体膜で活性領域を形成した半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】 珪素を主成分とし結晶構造を有する半導体膜であって、反射電子回折パターン法で検出される格子面の内、{101}面が占める割合が10%以上であり、{111}面が占める割合が10%未満である半導体膜を用いる。これは珪素原子の水素化物またはフッ化物または塩化物によるガスを原料として、繰り返し周波数10kHz以下、デューティー比50%以下の間欠放電を用いたプラズマCVD法により非晶質半導体膜を形成し、その表面に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する元素を導入し、当該元素を利用して結晶構造を有する半導体膜を得る。

請求項（抜粋）：

珪素を主成分とし、結晶構造を有する半導体膜であって、反射電子回折パターン法で検出される格子面の内、{101}面が占める割合が10%以上であり、{111}面が占める割合が10%未満であることを特徴とする半導体膜。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (99件)：

4K030AA09 ,  4K030BA30 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BB13 ,  4K030CA06 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030HA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA20 ,  4K030LA15 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AE01 ,  5F045AF07 ,  5F045HA16 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052FA24 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 結晶シリコン薄膜半導体装置、結晶シリコン薄膜光起電力素子、および結晶シリコン薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-058188   出願人：日立電線株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-156719   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-255496   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-096057   出願人：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタの製造方法およびレーザアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-348245   出願人：松下電器産業株式会社
• アモルファスシリコン薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234705   出願人：日電アネルバ株式会社
• 結晶シリコン半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-145069   出願人：日立電線株式会社, 株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-202985   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及び半導体装置の検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-183809   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所