特許
J-GLOBAL ID：200903054430305113
半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314999
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134714
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】ドリフト層を、不純物濃度を高めたn型半導体領域よりなるドリフト領域とp型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列pn構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。【解決手段】オン状態のときに電流を流し、オフ状態のときに空乏化するドリフト層を構成する並列pn接合層2において、p型半導体領域210内の横方向の不純物濃度に関し、中央部211の濃度を、並列pn接合層2のn型半導体領域220との接合面に近い側部212の濃度よりも高くする。また、n型半導体領域220内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部221の濃度を、p型半導体領域210との接合面に近い側部222の濃度よりも高くする。この場合には、p型半導体領域210の総不純物量がn型半導体領域220の総不純物量よりも多くなるようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1の主面と第2の主面との間に、低抵抗層と、前記第1の主面側から前記第2の主面側へ向かう縦方向に伸び、かつ横方向に交互に繰り返し接合された第1導電型半導体領域および第2導電型半導体領域よりなり、かつオン状態のときに電流を流し、オフ状態のときに空乏化する並列pn接合層と、を具備する半導体素子において、
前記第1導電型半導体領域内の横方向の不純物濃度に関し、中央部の濃度は相対的に高く、かつ前記第2導電型半導体領域との接合面に近い側部の濃度は相対的に低いことを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 655A
