研磨パッド、研磨装置及び半導体デバイスの製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092077
公開番号（公開出願番号）：特開2003-285259
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ガラス、半導体、誘電/金属複合体及び集積回路等に平坦面を形成するのに使用される研磨用パッド及び本研磨パッドを備えた研磨装置及び本研磨装置を用いた半導体デバイスの製造方法において、基板表面にスクラッチが少なく、研磨中に研磨状態を光学的に良好に測定できる研磨パッド及び研磨装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】研磨層1と、該研磨層の一部に一体に形成された研磨状態を光学的に測定するための一つ以上の透光窓部材と、を有する研磨パッドであって、該透光窓部材が研磨層表面側にあるマイクロゴムA硬度が60度以下の軟質透光層とその下にあるマイクロゴムA硬度が80度以上の硬質透光層からなる事を特徴とする研磨パッド。

請求項（抜粋）：

研磨層と、該研磨層の一部に一体に形成された研磨状態を光学的に測定するための一つ以上の透光窓部材と、を有する研磨パッドであって、該透光窓部材は、マイクロゴムA硬度60度以下の軟質透光層とマイクロゴムA硬度が80度以上の硬質透光層が少なくとも積層され、かつ、前記軟質透光層は研磨面側の最表層に位置する事を特徴とする研磨パッド。

IPC (5件)：

B24B 37/00 , B24B 37/04 , G01B 11/30 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (5件)：

B24B 37/00 C , B24B 37/04 K , G01B 11/30 Z , H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 622 R

Fターム (20件)：

2F065AA49 , 2F065BB03 , 2F065CC19 , 2F065DD04 , 2F065FF23 , 2F065FF41 , 2F065FF46 , 2F065GG04 , 2F065HH04 , 2F065HH13 , 2F065JJ01 , 2F065JJ09 , 2F065JJ15 , 2F065LL37 , 2F065QQ25 , 3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AC02 , 3C058CB02 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

研磨体、平坦化装置、半導体デバイス製造方法、および半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-345058 出願人：株式会社ニコン
放射線治療用シリコーンボーラスの製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-061844 出願人：持田商工株式会社
研磨体、平坦化装置、半導体デバイス製造方法、および半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-011126 出願人：株式会社ニコン

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