特許
J-GLOBAL ID：200903054468748299
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321026
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150220
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 n電極を取り付けるためのエッチング工程を必要としない安価な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 導電性であり、かつ発光素子の発光する光を透過させる基板1の一の面の一部を被覆してn電極6が取り付けられる。基板の他の面の上には、基板側からn型の第1の半導体層2、発光層3及びp型の第2の半導体層4を順次積層してなる発光素子構造が形成される。p型の第2の半導体層4にはその実質的な全面を被覆してp電極5が取り付けられる。
請求項（抜粋）：
GaN系の化合物半導体で形成される発光素子であって、導電性であり、かつ前記発光素子の発光する光を透過させる基板と、該基板の一の面の一部を被覆して取り付けられるn電極と、前記基板の他の面の上に形成される発光素子構造であって、前記基板側からn型の第1の半導体層、発光層及びp型の第2の半導体層が順次積層され、前記第2の半導体層の上にp電極と、を備えてなる半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
