特許
J-GLOBAL ID：200903054469010838

パターン測定方法および装置

発明者：
大塚 英夫

大塚 英夫 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-023679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-218012
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 傾斜パターンの位置および材質を正確に測定する。【解決手段】 撮像素子の画像情報から撮像画像上に設定される仮想直交座標系202に対して傾斜する傾斜パターン204のパターンエッジ204Lを検出し、仮想直交座標系の座標軸とパターンエッジとの第1交点座標206を求め、その第1交点座標から傾斜パターンの仮想直交座標系における相対位置を求める。さらにこの交点座標から他方のパターンエッジ204Rへ垂線210を下し、この垂線とパターンエッジ204Rとの第2交点座標208を求め、第1および第2交点座標から傾斜パターンのパターン幅を求めることができる。
請求項（抜粋）：
物体上に形成されたパターンから生じる光情報を撮像素子により光電検出し、前記撮像素子からの画像信号を処理することにより、前記パターンを測定する方法において、前記撮像素子の画像情報から撮像画像上に設定される仮想直交座標系のX方向およびY方向に対して傾斜する傾斜パターンのパターンエッジを検出する工程と、前記仮想直交座標系の座標軸と前記パターンエッジとの交点座標を求める工程と、前記交点座標から前記傾斜パターンの前記仮想直交座標系における相対位置を求める工程と、を含むことを特徴とするパターン測定方法。
IPC (3件)：
G01B 11/00 ,  G01B 11/02 ,  G01N 21/88
FI (4件)：
G01B 11/00 C ,  G01B 11/00 H ,  G01B 11/02 H ,  G01N 21/88 E
引用特許：
審査官引用 (2件)

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