弾性表面波素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066659
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260994
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】静電破壊防止手段を構じたインターディジタルトランスデューサーを製造する。【解決手段】圧電性基板401上に、インターディジタルトランスデューサ402として電気信号を弾性表面波に変換するための入力側インターディジタルトランスデューサ402a、弾性表面波を電気信号に変換するための出力側インターディジタルトランスデューサ402b、入出力インターディジタルトランスデューサ間の誘導をキャンセルするためのシールド電極403、吸音材404、対向噛合して配置されるインターディジタルトランスデューサ402を静電的に短絡するための薄膜抵抗体405が形成されている。薄膜抵抗体405の材料にはTa-SiO2やNb-SiO2などを適当なモル比で混合焼結して用いる。

請求項（抜粋）：

圧電性基板と、この圧電性基板上に相互に対向噛合するように形成された少なくとも1対のインターディジタルトランスデューサと、前記対向噛合するインターディジタルトランスデューサ間を接続するように形成された厚膜抵抗体とを具備したことを特徴とする弾性表面波素子。

IPC (3件)：

H03H 9/145 , H03H 3/08 , H03H 9/25

FI (4件)：

H03H 9/145 D , H03H 3/08 , H03H 9/25 Z , H03H 9/25 D

引用特許：

審査官引用 (11件)

弾性表面波素子およびそれを用いた通信装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-012265 出願人：株式会社日立製作所
サーマルヘツドおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-273925 出願人：株式会社東芝
特開平2-164118

全件表示

前のページに戻る