特許
J-GLOBAL ID:200903054513347470

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安富 耕二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-266703
公開番号(公開出願番号):特開平11-111750
出願日: 1997年09月30日
公開日(公表日): 1999年04月23日
要約:
【要約】【課題】 屈曲部を複数設けることにより、限られた寸法内でも直径の太いボンディングワイヤの使用を可能にする。【解決手段】 アイランド13上に半導体チップ11を固着し、半導体チップ11のボンディングパッド12とリード端子15とをボンディングワイヤ16でワイヤボンディングする。ボンディングワイヤ16には垂直に上昇する第1の延在部20と、ほぼ水平方向に延在する第2の延在部分21と、ほぼ垂直に近い角度で下降する第3の延在部分22とを具備し、第2の屈曲部44を半導体チップ11のチップ端から外側に配置する。ボンディングワイヤ16の直径は50〜100μである。
請求項(抜粋):
半導体チップを固着するアイランドと、前記アイランドにその先端を近接するリード端子と、前記ボンディングパッドと前記リード端子とを接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップと前記ボンディングワイヤとを含む主要部を封止する樹脂と、前記ボンディングワイヤの、前記ボンディングパッドに接触し第1の高さまで略垂直に延在する第1の延在部分と、前記ボンディングパッドから前記半導体チップのチップ端部近傍まで前記第1の高さを略維持しながら延在する第2の延在部分と、前記第2の延在部分から連続し、前記リード端子との接続部分に向かって降下する第3の延在部分と、を具備し、且つ前記ボンディングワイヤの直径が50〜100μであることを特徴とする半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (11件)
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