特許
J-GLOBAL ID:200903054515577520
窒化鉄薄膜及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
奥山 尚一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-396679
公開番号(公開出願番号):特開2002-193700
出願日: 2000年12月27日
公開日(公表日): 2002年07月10日
要約:
【要約】【課題】 高価な真空装置や原料を用いることなく、成膜速度が大きい窒化鉄薄膜を大気圧中でエピタキシャル成長させる窒化鉄薄膜の製造方法とその方法によって作製する窒化鉄薄膜を提供する。【解決手段】 薄膜原料51であるハロゲン化鉄を気化させたハロゲン化鉄ガスと窒素を含有した窒素源ガス7とを反応させて窒化鉄ガスを生成するステップと、この窒化鉄ガスを大気圧中で基板61上に吸着させてエピタキシャル成長させることによって、窒化鉄のエピタキシャル膜63を基板61上に生成するステップとを含んでなる方法である。
請求項(抜粋):
気化させたハロゲン化鉄と窒素源ガスとを大気中で反応させて窒化鉄を基板上に析出させ、エピタキシャル成長させることによって、窒化鉄のエピタキシャル膜を基板上に生成することを特徴とする窒化鉄薄膜の製造方法。
IPC (5件):
C30B 29/38
, C23C 16/34
, G11B 5/31
, H01F 10/18
, H01F 41/22
FI (5件):
C30B 29/38 Z
, C23C 16/34
, G11B 5/31 C
, H01F 10/18
, H01F 41/22
Fターム (23件):
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077DB05
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 4G077HA03
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB13
, 4K030CA01
, 4K030FA10
, 4K030LA05
, 4K030LA20
, 5D033BA02
, 5D033CA01
, 5D033DA05
, 5E049AB01
, 5E049AB09
, 5E049BA12
, 5E049JC03
引用特許:
引用文献:
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