改良型化学気相堆積チャンバ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-522411
公開番号（公開出願番号）：特表平9-509534
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】化学気相堆積チャンバ(10)には、処理中に基板(24)を受容するための位置決め可能な基板支持部材(18)が含まれている。支持部材(18)は、チャンバのベース内でシールされたアパーチャ(100)を介して延びる移動可能なステム(20)により配置されている。ステム(20)からチャンバ(10)の外方への熱移動を減じるために、ステム(20)には熱抑制部分(44)が含まれている。支持部材(18)がたわんだり又はゆがんだりしないことを確実にするために、優れた熱耐性を有する第2のプレート(91)が、支持部材(18)の基板未収容面と接して保持されている。第2のプレート(91)の使用により、支持部材(18)用として高い熱伝導率だが低い熱的強度の材料の使用が可能となる。さらに、チャンバ(10)には位置ずれ、割れ又はたわみのある基板(24)がチャンバ(10)内に存在していることを検出するための検出システムが含まれている。支持部材(18)には真空の圧力に維持された複数の真空溝(77、78)が含まれ、処理中に基板(24)を支持部材(18)に固着させるようにしているのが好適である。真空状態が溝(77、78)内で維持されない場合は、割れ、たわみ又は位置ずれのある基板(77、78)があることを示す。かかる状態が生じる場合には、コントローラがチャンバを停止し、割れ、たわみ又は位置ずれのある基板(24)の存在を示す。また、基板(24)がチャンバ(10)内で処理されるとき、チャンバは基板(24)の縁部保護を備えている。このことは、基板の周囲にパージガスチャネル(220)を作り出すことによって、且つ、基板(24)縁部の位置合わせをすることによって提供されて、パージガスのギャップが基板周縁部に設けられるようになる。

請求項（抜粋）：

基板処理チャンバ(10)の中で基板(24)を支持するための装置であって、基板受容面及び反対面(21)を有する第1のプレート(18)と、前記チャンバ(10)の中で基板(24)の処理中に前記反対面に接した状態で受容され、前記第1のプレートよりも熱的クリープの抵抗力が大きい第2のプレート(91)と、を備える装置。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/44 H , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-215670
特開平3-253574
プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-120396 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (6件)

特開平3-215670
特開平3-215670
特開平3-253574

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