不揮発性メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341697
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161854
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は不揮発性メモリに関し、従来に比して一段と低消費電力を実現する。【構成】メモリセルを構成する薄膜トランジスタのバツクチヤネルに強誘電体キヤパシタを埋め込み、当該強誘電体キヤパシタの分極特性を微少電流によつて反転させる。これによりデータの書き込み時や消去時に流れる電流を少なくすることができ、一段と消費電流の小さいメモリセルを実現することができる。また強誘電体コンデンサは低電界において容易に分極を反転できるため、従来に比して一段と低電圧でも確実な動作を実現することができる。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタのバツクチヤネルに強誘電体コンデンサが配置され、当該強誘電体コンデンサの分極極性に対応して上記薄膜トランジスタがオン又はオフ制御されるメモリセルを具えることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 11/22 , G11C 17/08 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 301 A , H01L 29/78 311 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

メモリ-素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-183605 出願人：カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-301216 出願人：カシオ計算機株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-321046 出願人：ローム株式会社

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