電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056197
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252299
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】本発明は保護膜と半導体との界面の状態の制御が難しい化合物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、高周波特性を劣化させることなく、安定して高耐圧化を実現できる電界効果トランジスタの提供。【解決手段】ゲート電極17およびゲート・オーミック間の半導体としての不純物ドープGaAs活性層13を被覆する絶縁膜19を有する電界効果トランジスタであって、絶縁膜19のゲート電極17に接する部分だけが該絶縁膜19直下の不純物ドープGaAs活性層13よりも誘電率が高い材料18が用いられた電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

ゲート電極およびゲート・オーミック間の半導体を被覆する絶縁膜を有する電界効果トランジスタであって、前記絶縁膜のゲート電極に接する部分だけが該絶縁膜直下の半導体よりも誘電率が高い材料が用いられたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Fターム (19件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GL05 , 5F102GM05 , 5F102GN05 , 5F102GR04 , 5F102GR09 , 5F102GR11 , 5F102GS04 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102HA13 , 5F102HB07 , 5F102HC01 , 5F102HC19

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭53-000078
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-069028 出願人：株式会社東芝
特開平3-268435

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審査官引用 (7件)

特開昭53-000078
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-069028 出願人：株式会社東芝
特開平3-268435

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