特許
J-GLOBAL ID：200903054589654879
半導体装置の実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246005
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111437
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置を導体パターンが形成された基板に信頼性良く電気的な接合を行うことのできる半導体装置の実装方法を提供する。【構成】 半導体装置7の電極パッド8上に2段突起状電極15を形成した後、前記2段突起状電極15上に導電性接着剤16を転写形成する。そして前記導電性接着剤16を形成した半導体装置7を基板19に向けて押圧して、2段突起状電極15の頭頂部を基板19の面に固着することによって、表面がうねり、反りをもった基板への半導体装置の確実な電気的な接合が可能になり、特に熱的、機械的な応力に対して極めて安定に接合できる実装方法を実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の導体配線パターンが形成された基板への実装方法において、半導体装置に設けた電極パッド上に金属ワイヤの先端に形成したボールを前記電極パッド上に固着して第1突起部を形成した後、前記金属ワイヤを前記第1突起部の上方でルーピングして前記金属ワイヤ端部を切断し前記第1の突起部に固着させることにより第2の突起部を形成して2段突起状の電極を形成する工程と、前記半導体装置上の2段突起状電極を形成した面を別に用意した支持基材上に塗工した導電性接着剤の面とを合わせて導電性接着剤を前記2段突起状電極上の第2の突起部にのみ転写する工程と、前記導電性接着剤が転写された半導体装置の2段突起状電極を導体配線パターンが形成された基板へ位置合わせを行なった後、前記2段突起状電極上の導電性接着剤により半導体装置を導体配線パターンが形成された基板に接着する際に同時に圧力を加えて、前記2段突起状電極の突起部の頂部高さを対向する基板の表面のうねりに合わせてレベリングしながら前記導電性接着剤によって固着する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の実装方法。
引用特許：
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