特許
J-GLOBAL ID：200903054603443207

配線用エッチング液とこれを利用した配線の製造方法及びこれを利用した薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法

発明者：
パク,ホン-シック

パク,ホン-シック について

, 
カン,スン-チュル

カン,スン-チュル について


出願人/特許権者：
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド

サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド について


代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-538812
公開番号（公開出願番号）：特表2005-506712
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
アルミニウムネオジム合金の下部膜とモリブデンタングステン合金の上部膜を順次に積層し、0.1-10%の硝酸(HNO3)、65-55%のリン酸(H3PO4)、5-20%の酢酸(CH3COOH)、0.1-5%の安定剤及びその他として超純水を含むエッチング液でパターニングし、基板の上にゲート線、ゲート電極及びゲートパッドを含むゲート配線を形成する。次に、ゲート絶縁膜、半導体層及び抵抗接触層を順次に形成し、モリブデンタングステン合金を積層し、0.1-10%の硝酸(HNO3)、65-55%のリン酸(H3PO4)、5-20%の酢酸(CH3COOH)、0.1-5%の安定剤及びその他として超純水を含むエッチング液でパターニングしてゲート線と交差するデータ線、ソース電極、ドレーン電極及びデータパッドを含むデータ配線を形成する。次に、保護膜を積層しパターニングしてドレーン電極、ゲートパッド及びデータパッドを各々露出する接触孔を形成する。次に、IZOを積層し、パターニングしてドレーン電極、ゲートパッド及びデータパッドと各々電気的に連結される画素電極、補助ゲートパッド及び補助データパッドを形成する。
請求項（抜粋）：
0.1-10%の硝酸、65-55%のリン酸、5-20%の酢酸、0.1-5%の安定剤及びその他として超純水を含む配線用エッチング液であって、 前記安定剤は化学式M(OH)x・Lyで示され、 前記化学式で、MはZn、Sn、Cr、Al、Ba、Fe、Ti、Si、またはBであり、LはH2O、NH3、CN、COR(ここで、Rは炭素数1乃至5のアルキル)、またはNNR(ここで、Rは炭素数1乃至5のアルキル)であり、xは2、または3であり、yは0、1、2、または3である配線用エッチング液。
IPC (8件)：
H01L21/308 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (9件)：
H01L21/308 F ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/28 E ,  H01L21/88 C ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 627C
Fターム (125件)：
2H092GA13 ,  2H092GA17 ,  2H092GA24 ,  2H092GA25 ,  2H092GA28 ,  2H092GA29 ,  2H092GA32 ,  2H092GA34 ,  2H092GA40 ,  2H092GA42 ,  2H092HA03 ,  2H092HA06 ,  2H092HA12 ,  2H092HA19 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA40 ,  2H092JA41 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB24 ,  2H092JB31 ,  2H092JB33 ,  2H092JB64 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104EE03 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5C094AA04 ,  5C094AA21 ,  5C094AA44 ,  5C094AA46 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FB04 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX33 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043GG02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HL07 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ05
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM