特許
J-GLOBAL ID:200903054622984073
半導体放射線検出器
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
山崎 拓哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-089432
公開番号(公開出願番号):特開2009-246073
出願日: 2008年03月31日
公開日(公表日): 2009年10月22日
要約:
【課題】CdTeと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ2mmのn型酸化亜鉛で構成される基板210上に、膜厚0.1μmのPt薄膜からなるショットキー電極220を形成する。続いて、基板210の下面に膜厚0.1μmのCr薄膜231を形成し、更に、Cr薄膜231の下面に膜厚0.1μmのAu薄膜232を形成する。Cr薄膜231及びAu薄膜232はオーミック電極230として機能する。基板210に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。【選択図】図10
請求項(抜粋):
酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた半導体放射線検出器。
IPC (6件):
H01L 31/09
, G01T 1/24
, H01L 27/14
, H01L 29/861
, H01L 29/47
, H01L 29/872
FI (6件):
H01L31/00 A
, G01T1/24
, H01L27/14 K
, H01L27/14 D
, H01L29/91 F
, H01L29/48 D
Fターム (45件):
2G088EE29
, 2G088FF04
, 2G088GG21
, 2G088JJ04
, 2G088JJ37
, 4M104AA03
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC03
, 4M104DD37
, 4M104FF02
, 4M104FF13
, 4M104GG03
, 4M118AB01
, 4M118BA06
, 4M118CA06
, 4M118CB01
, 4M118GB01
, 4M118GB11
, 4M118HA02
, 4M118HA11
, 4M118HA30
, 5F088AA04
, 5F088AB09
, 5F088AB16
, 5F088BA20
, 5F088CB01
, 5F088CB07
, 5F088CB11
, 5F088CB15
, 5F088DA01
, 5F088EA03
, 5F088FA05
, 5F088FA12
, 5F088GA03
, 5F088JA03
, 5F088JA07
, 5F088JA10
, 5F088LA07
引用特許:
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