特許
J-GLOBAL ID:200903054622984073

半導体放射線検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山崎 拓哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-089432
公開番号(公開出願番号):特開2009-246073
出願日: 2008年03月31日
公開日(公表日): 2009年10月22日
要約:
【課題】CdTeと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ2mmのn型酸化亜鉛で構成される基板210上に、膜厚0.1μmのPt薄膜からなるショットキー電極220を形成する。続いて、基板210の下面に膜厚0.1μmのCr薄膜231を形成し、更に、Cr薄膜231の下面に膜厚0.1μmのAu薄膜232を形成する。Cr薄膜231及びAu薄膜232はオーミック電極230として機能する。基板210に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。【選択図】図10
請求項(抜粋):
酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた半導体放射線検出器。
IPC (6件):
H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (6件):
H01L31/00 A ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 K ,  H01L27/14 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/48 D
Fターム (45件):
2G088EE29 ,  2G088FF04 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ04 ,  2G088JJ37 ,  4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA06 ,  4M118CB01 ,  4M118GB01 ,  4M118GB11 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA30 ,  5F088AA04 ,  5F088AB09 ,  5F088AB16 ,  5F088BA20 ,  5F088CB01 ,  5F088CB07 ,  5F088CB11 ,  5F088CB15 ,  5F088DA01 ,  5F088EA03 ,  5F088FA05 ,  5F088FA12 ,  5F088GA03 ,  5F088JA03 ,  5F088JA07 ,  5F088JA10 ,  5F088LA07
引用特許:
出願人引用 (3件)

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