特許
J-GLOBAL ID：200903054662760810

表面加工方法及び表面平滑化方法

発明者：
伊藤 茂生

伊藤 茂生 について

, 
山田 公

山田 公 について


出願人/特許権者：
双葉電子工業株式会社

双葉電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148439
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321489
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 例えば半導体等の被加工体のエッチング及び平滑化を容易にする。【構成】 レジスト層15の表面にガスクラスタを照射することによって、レジスト層15にとホールパターンHに形成されるエッジ部EをエッチングしてR形状に加工する。また所定の位置にホールパターンが形成されたレジスト手段が配されている被加工体にガスクラスタを照射することによって、前記被加工体の露出部分のみを平滑化する。
請求項（抜粋）：
被加工体の表面にガスクラスタを照射することによって、上記被加工体に形成されるエッジ部をエッチングしてR形状に加工することを特徴とする表面加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H05K 3/08
FI (2件)：
H01L 21/302 H ,  H05K 3/08 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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