特許
J-GLOBAL ID：200903070688440690
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189930
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093192
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 活性層へのキャリア注入を効率的に行うと共に、電極コンタクト等での電圧降下を抑制することができ、低しきい値、低電圧で動作し、高い信頼性を達成する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体レーザは、サファイア基板10上に、活性層14をクラッド層13、15で挟んだダブルヘテロ接合構造を有する。p-クラッド層15の上にストライプ状の開口部を有するGaN電流ブロック層16が形成される。更に、電流ブロック層16の開口部へ電流を注入し、該開口部よりも面積の広いp-GaNの埋込み層17及びコンタクト層18が形成される。活性層14はバンドギャップエネルギーが異なり、それぞれの厚さが10nm以下の2種類のInGaAlN層の繰り返しで構成される周期構造からなる多重量子井戸(MQW)構造を有する。
請求項（抜粋）：
2種類以上の半導体層の繰り返しで構成される周期構造を有する活性層と、ダブルヘテロ接合構造を形成するように前記活性層を挟んで配設された、それぞれ第1及び第2導電型の第1及び第2クラッド層と、前記第1及び第2クラッド層に接続された第1及び第2電極と、前記第2電極と前記第2クラッド層との間に配設され、前記ダブルヘテロ接合構造に対する電流を狭窄するためのストライプ状の開口部を有する電流ブロック層と、前記第2電極と前記電流ブロック層との間及び前記開口部内に配設され、前記開口部よりも広い面積を有する電流注入層と、前記活性層、前記第1及び第2クラッド層、電流ブロック層、及び電流注入層の夫々は、下記の組成式で表される材料から基本的になることと、In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N、ここでx+y+z=1、0≦x,y,z≦1前記電流ブロック層の厚さをTA、前記電流ブロック層と前記活性層との間の距離をTBとした時、TB<TAの条件を満足することと、を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。
引用特許：
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