特許
J-GLOBAL ID：200903054665315841
成膜方法及び成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140917
公開番号（公開出願番号）：特開平10-317150
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法による成膜において、反応生成物でなる微粒子が膜質に悪影響を与えることを抑制する。【解決手段】 シランを成膜ガスとしたプラズマCVD法において、高周波放電を持続させた状態において、シランガスの供給を停止し、代わりに放電ガスでなる水素ガスの供給を行う。そして所定の時間水素ガスの分解による成膜を従わないプラズマを形成する。この状態では、被形成面に負の自己バイアスが加わっているので、負に帯電した微粒子は、被形成面に付着しない。そして、雰囲気内の微粒子が排気された状態で放電を停止させる。こうして、被形成面に微粒子が付着しない状態とすることができる。
請求項（抜粋）：
成膜ガスを供給した状態で高周波放電を行わせてプラズマを形成し成膜を行わす第1の段階と、成膜ガスから放電ガスに切り換えて引き続いて高周波放電を行わせて成膜を従わないプラズマ形成を行う第2の段階と、を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
