n型無機半導体、n型無機半導体薄膜及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-356649
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114928
出願日： 2005年12月09日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】取り出せる光量が多い一方、駆動電圧が低くても、発光輝度が高く、しかも、耐久性に優れた有機EL素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも陽極層10、正孔注入層12、有機発光層14および陰極層16を順次に積層した構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子100において、前記正孔注入層12をn型無機半導体材料から構成するとともに、前記正孔注入層12のフェルミエネルギーをΦh、前記陽極層10のフェルミエネルギーをΦaとしたときに、Φh>Φaの関係を満足し、かつ、前記n型無機半導体材料の吸収係数を1×104cm-1以下の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子100。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

少なくとも陽極層、正孔注入層、有機発光層および陰極層を順次に積層した構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層をn型無機半導体材料から構成するとともに、前記正孔注入層のフェルミエネルギーをΦh、前記陽極層のフェルミエネルギーをΦaとしたときに、Φh>Φaの関係を満足し、かつ、前記n型無機半導体材料の吸収係数を1×104cm-1以下の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (2件)：

H01L 51/50 , H05B 33/10

FI (3件)：

H05B33/22 C , H05B33/14 A , H05B33/10

Fターム (6件)：

3K007AB03 , 3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007EA02 , 3K007EC00 , 3K007FA01

引用特許：

出願人引用 (9件)

特許2636341号公報
特許282411号公報
特開平02-196475号公報

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