特許
J-GLOBAL ID：200903054673349763
電子機器
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-062791
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270633
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】本発明の目的は、上記従来技術を解決すべく、スズービスマスめっき膜を形成した外部リードの鉛フリーはんだによる接合を高信頼に行うことにある。特に、高温高湿等の試験後にもはんだ濡れ性の低下を抑制したスズービスマスめっきを外部リードに形成し、鉛フリーはんだとの接合を高信頼に行うことにある。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、電子素子と該電子素子と電気的に接続された外部端子と該外部端子に形成されたスズービスマスめっき膜とを有する電子装置を回路基板に鉛フリーはんだを用いて接続した電子機器において、該電子装置と該回路基板との接続部に形成されたスズービスマスめっき膜と鉛フリーはんだとの溶融生成物のビスマス含有率が0.01〜3wt%としたものである。
請求項（抜粋）：
電子素子と該電子素子と電気的に接続された外部端子と該外部端子に形成されたスズービスマスめっき膜とを有する電子装置を回路基板に鉛フリーはんだを用いて接続した電子機器において、該電子装置と該回路基板との接続部に形成されたスズービスマスめっき膜と鉛フリーはんだとの溶融生成物のビスマス含有率が0.01〜3wt%であることを特徴とする電子機器。
IPC (6件)：
H01L 21/60 301
, B23K 35/26 310
, C22C 13/02
, C25D 7/00
, H01L 23/50
, H05K 3/34 512
H01L 21/60 301 B
, B23K 35/26 310 A
, C22C 13/02
, C25D 7/00 G
, H01L 23/50 D
, H05K 3/34 512 C
4K024AA21
, 4K024BB09
, 4K024BB11
, 4K024BB13
, 5E319BB01
, 5F044KK01
, 5F044LL01
, 5F067DC16
