特許
J-GLOBAL ID：200903057011077738
半導体装置およびその実装構造体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139484
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330340
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】鉛フリーはんだめっきを用いて、クラックの発生を防止して濡れ性の低下がなく、しかも耐ウィスカ性、耐食性などに優れた曲げ成形されたリードを有する信頼性の高い半導体装置を実現して、基板に濡れ性を低下させることなく高信頼度ではんだ接続実装できるようにした半導体装置およびその実装構造体を提供することにある。【解決手段】本発明は、曲げ成形されたリードを有する半導体装置において、前記リードを、リード基材の表面に、ビスマス含有量が0〜1wt%のすずまたはすず-ビスマス合金からなる下層めっき膜と、ビスマス含有量が1〜10wt%のすずービスマス合金からなる上層めっき膜とを有して形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
曲げ成形されたリードを有する半導体装置において、前記リードを、リード基材の表面に、すずまたはすず-ビスマス合金からなる下層めっき膜と、該下層めっき膜におけるビスマス含有量よりも大きなビスマス含有量を有するすずービスマス合金からなる上層めっき膜とを有して形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/50
, C22C 13/02
, C23C 28/02
, C25D 5/10
, C25D 7/12
H01L 23/50 D
, C22C 13/02
, C23C 28/02
, C25D 5/10
, C25D 7/12
