特許

J-GLOBAL ID：200903054699617065

半導体装置

発明者： 本橋 雅
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-086808
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244406
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】抵抗素子が、高周波信号に対し設計通りに機能しなくなかった。【解決手段】基板と、前記基板上に形成されている、不純物濃度が相対的に低いウェルと、前記ウェル上に形成されている絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されている、高周波信号のための抵抗素子と、を含み、前記抵抗素子の一部と他の一部とを、前記抵抗素子の前記一部及び前記絶縁膜間に形成され得る第1の寄生容量並びに前記抵抗素子の前記他の一部及び前記絶縁膜間に形成され得る第2の寄生容量と、前記ウェル中における、前記第1、第2の寄生容量間に形成され得る寄生抵抗と、更に含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成されている、不純物濃度が相対的に低いウェルと、 前記ウェル上に形成されている絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成されている、高周波信号のための抵抗素子と、を含み、 前記抵抗素子の一部と他の一部とを、前記抵抗素子の前記一部及び前記絶縁膜間に形成され得る第1の寄生容量並びに前記抵抗素子の前記他の一部及び前記絶縁膜間に形成され得る第2の寄生容量と、 前記ウェル中における、前記第1、第2の寄生容量間に形成され得る寄生抵抗と、更に含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (1件)：

H01L27/04 P

Fターム (5件)：

5F038AR02 ,  5F038AR09 ,  5F038AR27 ,  5F038CA09 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• チップ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-270567   出願人：大見忠弘
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198065   出願人：株式会社東芝