半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-024468
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329864
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】レーザーアニール法を用いて寄生抵抗の増加等の不都合を招くことなく急峻な不純物プロファイルが得られ、半導体素子の更なる微細化・高集積化に十分応えることを可能とする。【解決手段】 N型シリコン単結晶の半導体基板1にゲート絶縁膜2を介してゲート電極3をパターン形成した後、ゲート電極3をマスクとして基板1のSi表面に対して斜め方向から、単結晶Siを非晶質化するに足る程度の性質を有する原子、ここではGe+をイオン注入し(矢印4で示す)、単結晶Siを溶融再結晶化して、ゲート電極3下部の基板1内に回り込む非晶質領域5を形成する。しかる後、非晶質領域5にB+をイオン注入し、レーザー照射を実行する。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体領域にゲート、ソース/ドレインを有してなる半導体装置の製造方法であって、前記単結晶半導体領域上にゲート絶縁膜を介して前記ゲートをパターン形成する第1の工程と、前記ゲートをマスクとして、前記単結晶半導体領域の表面に対して斜め方向から、当該単結晶半導体を非晶質化するに足る程度の性質を有する原子を導入し、前記ゲート下部の前記単結晶半導体領域内に回り込む非晶質領域を形成する第2の工程と、前記第2の工程の前又は後に、前記ゲートをマスクとして前記単結晶半導体領域の表面に不純物を導入する第3の工程と、前記単結晶半導体領域にレーザー照射して前記不純物を活性化し、前記ソース/ドレインを形成する第4の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , H01L 21/265 604 , H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/088 , H01L 27/092

FI (9件)：

H01L 21/265 602 C , H01L 21/265 604 M , H01L 21/265 604 V , H01L 29/78 301 S , H01L 27/08 102 B , H01L 27/08 321 E , H01L 21/265 Q , H01L 21/265 F , H01L 29/78 301 L

Fターム (54件)：

5F048AA01 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F048DA00 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F140AA10 , 5F140AA13 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BC09 , 5F140BD01 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD12 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG33 , 5F140BG38 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH15 , 5F140BH22 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BK01 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK21 , 5F140BK22 , 5F140BK34 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE18 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-285635 出願人：ヤマハ株式会社
特開平3-131020
特開平1-283965

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