特許
J-GLOBAL ID：200903054723807199
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216109
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044229
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】配線基板25上に1つの領域を封止樹脂22により封止すると封止樹脂22と配線基板25が一体となった基板は配線基板25、封止樹脂22、半導体チップ21の物性値の違いにより反りが発生し、樹脂封止する領域が大きくなる程、配線基板25全体の反りは大きくなる。【解決手段】一の配線基板5に少なくとも2以上の半導体チップ1毎に一括樹脂封止され、且つ、一括封止した封止樹脂2が形成された領域が2つ以上あり、この複数の封止樹脂2が配線基板5の長手方向に1列に設けられている。
請求項（抜粋）：
一の基板上に複数の半導体チップを搭載し、且つ2以上の前記半導体チップ毎に一体樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記基板に、複数の外部接続用の第1の貫通孔を形成し、半導体チップ搭載領域側の前記基板上に導電膜を形成し、該導電膜をパターニングすることによって、配線パターンと第1の貫通孔の開口部全体を覆う、前記配線パターンの一部となるランドを形成する工程と、前記半導体チップを搭載し、且つ該半導体チップ搭載面と反対側の面から前記第1の貫通孔に前記外部接続用端子を搭載し、前記半導体チップと前記外部接続用端子とを前記ランドを介して電気的に接続する工程と、2以上の前記半導体チップ毎に、該半導体チップを封止樹脂を用いて一体樹脂封止する工程と、前記外部接続用端子搭載面側から切断位置を認識し、第1の切断用刃物を用いて前記基板を切断し、その後、前記第1の切断用刃物よりも刃の厚さの薄い第2の切断用刃物を用いて、2以上の前記半導体チップを一括封止した前記封止樹脂を切断することにより、前記半導体チップ毎に上記基板を分割することを特徴とする、樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56
, B29C 45/14
, H01L 21/301
, B29L 31:34
H01L 21/56 T
, B29C 45/14
, H01L 21/78 Q
4F206AD19
, 4F206AH37
, 4F206JA02
, 4F206JB17
, 4F206JW23
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061CB13
