特許
J-GLOBAL ID:200903054731191040
発光装置およびその作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-328942
公開番号(公開出願番号):特開2005-093396
出願日: 2003年09月19日
公開日(公表日): 2005年04月07日
要約:
【課題】 本発明の課題は、発光効率(光の取り出し効率)が高く高輝度、且つ、低消費電力であり、且つ、安定性の高い発光装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】 本発明は、隔壁と耐熱性平坦化膜は同一の材料を用いて、密着性を良好とするとともに、材料コストを低減することができる。耐熱性平坦化膜上に接して陽極または陰極を形成する。また、間に異なる屈折率を有する膜を介さずに隔壁と耐熱性平坦化膜とを密接させることで界面の光反射が生じない構成とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する第1の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタにより反映する凸凹形状の上に耐熱性平坦化膜及び透明導電膜を形成する工程と、
前記耐熱性平坦化膜耐熱性平坦化膜及び透明導電膜を選択的に除去して、側面がテーパー形状を有し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域上方に位置する開口部と、テーパー形状を有する周縁部とを形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記ソース領域または前記ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記透明導電膜上に導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜をエッチングストッパーとして前記導電膜をエッチングして前記ソース領域または前記ドレイン領域に達する電極を形成する工程と、
前記電極と接する透明導電膜をパターニングして陽極を形成する工程と、
前記陽極の端部を覆う隔壁を形成する工程と、
前記陽極上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に陰極を形成する工程と、
前記発光素子の外周を囲むシール材で第2の基板を前記第1の基板に貼り合せて前記発光素子を封止する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
IPC (6件):
H05B33/10
, G09F9/30
, H05B33/12
, H05B33/14
, H05B33/22
, H05B33/28
FI (6件):
H05B33/10
, G09F9/30 348Z
, H05B33/12 B
, H05B33/14 A
, H05B33/22 Z
, H05B33/28
Fターム (22件):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007EC00
, 3K007FA00
, 5C094AA10
, 5C094AA22
, 5C094AA37
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA09
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094EA05
, 5C094FB01
, 5C094GB10
引用特許:
出願人引用 (9件)
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発光装置およびその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-031539
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-022486
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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表示装置及びこれを用いた表示システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-347837
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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審査官引用 (7件)
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表示装置及びこれを用いた表示システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-347837
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-113371
出願人:三洋電機株式会社
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有機EL素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-354555
出願人:ティーディーケイ株式会社
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