薄膜発光素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-293769
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210066
出願日： 2004年10月06日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】素子にクラックなどを生じさせること無く、放熱性が良く、しかも活性層で発光した光を効率よく外部へ取り出すことのできる薄膜発光素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】一導電型の窒化物半導体からなる下部クラッド層104の上面に、窒化物半導体からなる活性層105および逆導電型の窒化物半導体からなる上部クラッド層106を順次積層してなる半導体層を備え、該半導体層の厚みが10μm以下の薄膜発光素子とすることにより、半導体層にクラックのない発光効率の良好な薄膜発光素子を提供できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一導電型の窒化物半導体からなる下部クラッド層、窒化物半導体からなる活性層および逆導電型の窒化物半導体からなる上部クラッド層を順次積層した半導体層を備え、該半導体層の厚みが10μm以下であることを特徴とする薄膜発光素子。

IPC (4件)：

H01L33/00 , H01L21/205 , H01L21/306 , H01L21/3065

FI (4件)：

H01L33/00 C , H01L21/205 , H01L21/306 Z , H01L21/302 105B

Fターム (39件)：

5F004AA02 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA10 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DB00 , 5F004DB12 , 5F004EA38 , 5F004EB08 , 5F041AA03 , 5F041AA33 , 5F041AA44 , 5F041AA47 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CB15 , 5F043AA37 , 5F043BB25 , 5F043GG05 , 5F043GG10 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA09 , 5F045DA53

引用特許：

出願人引用 (1件)

GaN系半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-058733 出願人：三菱電線工業株式会社

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