特許
J-GLOBAL ID：200903054774281191

半導体チップの製造方法

発明者：
平野 尚彦

平野 尚彦 について

, 
三浦 昭二

三浦 昭二 について

, 
新美 彰浩

新美 彰浩 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291396
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244165
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 表裏両主面にそれぞれ電極を有する半導体チップの両主面側にそれぞれヒートシンクを配置し、装置のほぼ全体を樹脂でモールドしてなる半導体装置における半導体チップを製造するにあたって、半導体チップとなる半導体ウェハの反りを極力抑制する。【解決手段】 半導体チップ10となるウェハであってその主表面および主裏面が半導体チップ10の主表面および主裏面と一致している半導体ウェハ100を用意し、半導体ウェハ100の主裏面に裏面電極13を形成した後、半導体ウェハ100の主裏面を、半導体ウェハ100を支持する支持基板200に固定した状態で、半導体ウェハ100の主表面に表面電極12を形成した後、支持基板200を取り外し、半導体ウェハ100をカットすることにより、半導体チップ10を形成することを特徴としている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
主表面および主裏面にそれぞれ電極(12、13)を有する半導体チップ(10)の主表面側と主裏面側とに、それぞれ電極と放熱体とを兼ねる金属体(20、30)を配置し、装置のほぼ全体が樹脂(80)でモールドされてなる半導体装置における前記半導体チップ(10)の製造方法において、 前記半導体チップ(10)となるウェハであってその主表面および主裏面が前記半導体チップの主表面および主裏面と一致している半導体ウェハ(100)を用意し、 前記半導体ウェハ(100)の主裏面に前記電極(13)を形成した後、 前記半導体ウェハ(100)の主裏面を、前記半導体ウェハ(100)を支持する支持基板(200)に固定した状態で、前記半導体ウェハ(100)の主表面に電極(12)を形成し、 しかる後、前記半導体ウェハ(100)をカットすることにより、前記半導体チップ(10)を形成することを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (2件)：
H01L23/29 ,  H01L21/28
FI (2件)：
H01L23/36 A ,  H01L21/28 Z
Fターム (10件)：
4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BE01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305228   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-196140   出願人：株式会社デンソー

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