III-V族窒化物層およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：伊藤克博 , 小野暁子
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007055577
公開番号（公開出願番号）：WO2007-119433
出願日： 2007年03月19日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する六方晶系のIII-V族窒化物層が開示される。この窒化物層は、格子定数が異なる基板上に成長することによって形成された六方晶系に属するIII-V族窒化物層であって、成長面方位が{1-100}面であり、成長面方位に対して垂直となる{1-210}面におけるX線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するX線に対する角度依存性の半値全幅b1が、0.01°≦b1≦0.5°、あるいは、{0001}面におけるX線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するX線に対する、角度依存性の半値全幅b2が、0.01°≦b2≦0.5°等を満たす。

請求項（抜粋）：

格子定数が異なる基板(但し、LiおよびCのいずれかを主要構成元素として含有する基板を除く。)上に成長することによって形成された六方晶系に属するIII-V族窒化物層であって、次の(i)〜(iv)の条件の中の少なくとも1つを満足することを特徴とするIII-V族窒化物層。 (i) 成長面方位が{0001}に対して垂直な面(以下、無極性面という。)であり、成長面方位に対して垂直、かつ、c軸[0001]に平行となる面におけるX線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するX線に対する角度依存性の半値全幅b1が、 0.01°≦b1≦0.5° を満たす。 (ii) 成長面方位が無極性面であり、{0001}面におけるX線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するX線に対する角度依存性の半値全幅b2が、 0.01°≦b2≦0.5° を満たす。 (iii) 成長面方位が無極性面であり、成長面方位と成す角度が60°以上、かつ90°未満となる{1-100}面、または{11-20}面を回折面としたとき、当該回折面と垂直かつ、c軸[0001]に平行となる面と平行な方向から入射するX線に対する、当該回折面のX線回折強度の角度依存性の半値全幅b3が、 0.01°≦b3≦0.5° を満たす。 (iv) 成長面方位が無極性面であり、前記成長面方位を{ijk0}と表記した場合、成長面から[0001]および[000-1]方向にのみ傾いた{ijk2}面を回折面としたとき、成長面から当該回折面までの傾きと等しい角度、かつ同じ方向に{0001}面を傾けた面と平行な方向から入射するX線に対する、当該回折面のX線回折強度の角度依存性の半値全幅b4が 0.01°≦b4≦0.5° を満たす。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 23/08 , C23C 14/06 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D , C30B23/08 Z , C23C14/06 A , H01L21/205

Fターム (39件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077AB08 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA03 , 4G077EA02 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE10 , 4G077EF03 , 4G077EH01 , 4G077EH02 , 4G077EH06 , 4G077EH09 , 4G077FJ06 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4G077SA08 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029DB20 , 4K029FA06 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DA53

引用特許：

出願人引用 (1件)

ウルツ鉱型III-V族窒化物薄膜とその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-209806 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

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