特許
J-GLOBAL ID：200903054814005648

単板式カラー固体撮像素子

発明者：
鈴木 信雄

鈴木 信雄 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-088466
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269922
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 半導体基板の深さ方向に複数のフォトダイオードを設け半導体の光吸収係数の波長依存性を利用してカラー信号を分離して検出する撮像素子で、フォトダイオード間の分光感度特性の分離を良好にする。【解決手段】 シリコン基板101の深さ方向にn型またはp型の半導体層103を挟んだ2つのpn接合面113,114を設けシリコンの光吸収係数の波長依存性により入射光を青色と赤色に分離し青色光によって発生した電荷をpn接合面113で検出し赤色光によって発生した電荷をpn接合面114で検出する単板式カラー固体撮像素子で、入射光の入射によって半導体層103で発生する光電荷のうち少数キャリアが半導体層103内でpn接合面113方向とpn接合面114方向とに分流する境界面Y1の位置が、青色と赤色に分離する光の波長に対応するシリコン深さとなるような厚さに半導体層103を製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板の深さ方向にn型またはp型の半導体層を挟んだ2つのpn接合面を設けシリコンの光吸収係数の波長依存性により入射光を2色に分離し一方の色の光によって発生した電荷を一方の前記pn接合面で検出し他方の色の光によって発生した電荷を他方の前記pn接合面で検出する単板式カラー固体撮像素子において、前記入射光の入射によって前記半導体層で発生する光電荷のうち少数キャリアが該半導体層内で前記一方のpn接合面方向と前記他方のpn接合面方向とに分流する境界面の位置が、前記2色に分離する光の波長に対応するシリコン深さとなるような厚さに前記半導体層を製造したことを特徴とする単板式カラー固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H04N 9/07 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N9/07 A ,  H01L31/10 D
Fターム (30件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA15 ,  4M118CA18 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CA33 ,  4M118CB01 ,  4M118CB05 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118FA06 ,  4M118GB07 ,  5C065BB19 ,  5C065BB42 ,  5C065CC10 ,  5C065DD17 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049QA07 ,  5F049SE04 ,  5F049SS03 ,  5F049UA11 ,  5F049UA13 ,  5F049WA09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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